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英諾賽科(蘇州)半導體(tǐ)有限公司生(shēng)産基地于6月23日奠基開(kāi)工(gōng)
文章來源 : 中(zhōng)天彙富作者 : 中(zhōng)天彙富時間:2018-6-23 9:30:53

        6月23日中(zhōng)天彙富合夥人孫曉燕女士與吳江先生(shēng),受邀參加英諾賽科(蘇州)半導體(tǐ)有限公司生(shēng)産基地于奠基開(kāi)工(gōng)儀式。





  本次奠基開(kāi)工(gōng)儀式,暨2016年5月3日英諾賽科研發中(zhōng)心工(gōng)程項目在珠海高新區奠基開(kāi)工(gōng)之後,又(yòu)一(yī)次裏程碑。





  英諾賽科(蘇州)半導體(tǐ)有限公司新建半導體(tǐ)生(shēng)産廠房等項目,新建廠房面積149671.3平方米,新建輔房面積26412平米,位于蘇州市吳江區。由汾湖高新區(黎裏鎮)結合國家級高新區創建而打造的新型半導體(tǐ)産業園,将以華功半導體(tǐ)“一(yī)院兩中(zhōng)心”、英諾賽科爲牽頭項目,加快招引優質項目,打造集研發、生(shēng)産、科技服務和孵化于一(yī)體(tǐ)的新型半導體(tǐ)産業化基地;由吳江高新區(盛澤鎮)重點打造的紡織循環經濟産業園,将以促進資(zī)源節約集約利用、改善生(shēng)态環境爲目标,加快推進印染企業集中(zhōng)入園,實現主要污染物(wù)排放(fàng)量降低15%。





  英諾賽科是2015年12月由海歸團隊發起創辦,從事寬禁帶半導體(tǐ)電力電子器件的研發與生(shēng)産,一(yī)期項目位于珠海市國家級高新區,已完成投資(zī)10.9億元,建設8英寸增強型矽基氮化镓外(wài)延與芯片大(dà)規模量産生(shēng)産線。公司商(shāng)業模式将采用IDM全産業鏈模式,打造集研發、設計、外(wài)延生(shēng)長、芯片制造、測試于一(yī)體(tǐ)的生(shēng)産平台,主要産品包括100V-650V 8英寸矽基氮化镓外(wài)延片、100V-650V氮化镓功率器件、氮化镓集成電路。


  矽氮化镓技術能夠提高功率密度和能效,同時縮小(xiǎo)器件尺寸,因此,非常适合用于電視機電源和D類音頻(pín)放(fàng)大(dà)器等消費(fèi)電子産品,服務器和電信設備中(zhōng)使用的SMPS。IHS發布的市場研究報告稱,面向功率半導體(tǐ)的矽基闆GaN技術市場,将以高達50%以上的年均複合增長率(CAGR)成長。到2023年,其市場容量将從2014年的1,500萬美元,增至8億美元。






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