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近日，英諾賽科憑借高性能的氮化镓芯片和優秀的服務意識榮獲 OPPO 2022年度“質量服務獎”，配合 OPPO 創新性地将低壓氮化镓導入手機主闆，并實現數百萬顆交付，芯片失效率爲零。共同開(kāi)創了氮化镓在消費(fèi)類電子領域的新起點。

全球領先的智能手機品牌 OPPO 在頒獎時表示："英諾賽科團隊在過去(qù)一(yī)年中(zhōng)大(dà)力配合低壓氮化镓器件在 OPPO 手機端的導入驗證工(gōng)作，主動配合并完成與品質相關的高要求實驗安排，具備優秀的品質服務意識。期待2023年與貴司保持更加密切的合作關系，在産品和質量上挖掘并創造更多價值！"

獲此殊榮，代表 OPPO 對英諾賽科産品質量與服務的高度認可。作爲全球領先的氮化镓 IDM 企業，英諾賽科擁有全球最大(dà)的矽基氮化镓生(shēng)産基地和先進的研發與制造能力，8英寸氮化镓全自動生(shēng)産線與全流程質量管控體(tǐ)系，爲芯片性能和大(dà)批量交付需求提供了有力保障。英諾賽科緻力于爲合作夥伴提供高品質的氮化镓芯片及高效的全氮化镓解決方案，并通過長期努力，與上下(xià)遊企業逐步構建起氮化镓“芯”生(shēng)态。

秉承着“科技創新，創造美好生(shēng)活”的理念，OPPO 強化了對前沿技術的探索。爲保持在快充領域的領先優勢，OPPO 聯合英諾賽科創新性地将氮化镓導入手機主闆，成功将 V-GaN INN040W048A 導入 OPPO Reno7pro 等一(yī)系列手機。英諾賽科 V-GaN 産品具備無體(tǐ)二極管、低導通阻抗等特性，僅用一(yī)顆氮化镓芯片就能代替兩顆矽MOSFET，節省了手機PCBA空間，低導通阻抗的特性大(dà)大(dà)降低手機溫度，爲用戶提供了更高效的快充體(tǐ)驗。

同年7月，Realme 也正式發布了全鏈路氮化镓快充的 GT2 大(dà)師探索版手機，同樣采用了英諾賽科 V-GaN INN040W048A 低壓氮化镓芯片，實現體(tǐ)積減少64%，峰值功率發熱降低85%，保證手機在充電過程中(zhōng)更高效，更安全。

OPPO Reno7pro和Realme GT2 等手機創新性導入氮化镓芯片的成功案例，體(tǐ)現了OPPO對科技的探索與創新，同時也表明OPPO對長期合作夥伴英諾賽科氮化镓芯片質量的認可與信賴，具有裏程碑式的意義。

但這也僅僅隻是開(kāi)端，目前英諾賽科已經能夠爲手機提供全鏈路的氮化镓方案，包括：DC/DC Charge Pump，BMS，DC/DC Buck，3D ToF等，并逐步推進與終端品牌的驗證與合作。未來我(wǒ)們也将把全氮化镓方案應用于數據中(zhōng)心和自動駕駛系統中(zhōng)，用氮化镓爲綠色高效應用賦能。

2022年，英諾賽科完成了産品電壓覆蓋範圍的擴大(dà)和升級，打造了40V、100V及150V工(gōng)藝平台，使産品進一(yī)步豐富與叠代，産品質量及可靠性也得到大(dà)幅度提升。展望2023，英諾賽科期待爲OPPO提供更高效高品質的産品與服務，探索新應用，實現新突破，共同爲用戶創造更美好的生(shēng)活體(tǐ)驗。

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