由全球電子技術領域知(zhī)名媒體(tǐ)集團AspenCore主辦的“國際集成電路展覽會暨研讨會”（IIC Shenzhen 2023）于2023年11月2日在深圳大(dà)中(zhōng)華交易廣場重磅啓幕。英諾賽科受邀參與IIC高效電源管理及寬禁帶半導體(tǐ)技術應用論壇，并被評選爲2023年全球電子成就獎-最具潛力第三代半導體(tǐ)技術企業。
伴随着中(zhōng)國經濟的持續快速增長，電源産業呈現良好的發展态勢，據中(zhōng)國電源協會預測，到2025年電源市場規模将增至5400億元，2021-2025年CAGR 達11%。同時，在綠色低碳戰略不斷推進與深入進程中(zhōng)，提升能源利用效率和能源轉換效率已成爲各行各業的共識。
氮化镓(GaN)作爲一(yī)種寬禁帶半導體(tǐ)，近年來在應用端的價值被不斷發掘，其高速、高頻(pín)、高效率的特性不斷推動着系統應用的革新，也推動着行業不斷朝着低碳、節能的發展。
英諾賽科市場應用高級主任黃鋒在高效電源管理及寬禁帶半導體(tǐ)技術應用論壇上表示，功率半導體(tǐ)是能源電子的核心支撐，而當前模塊電源性能的發展已達到了瓶頸，需要通過損耗更低的功率半導體(tǐ)如氮化镓與創新應用設計相結合。
會上，黃鋒重點介紹了英諾賽科針對數據中(zhōng)心48V供電架構開(kāi)發的 LLC-DCX IBC模塊，功率覆蓋從300W-1000W，最高效率超過98%，高性能InnoGaN芯片助力數據中(zhōng)心系統效率全面提升。
全球電子成就獎(World Electronics Achievement Awards)旨在評選并表彰對推動全球電子産業創新做出傑出貢獻的企業和管理者，由AspenCore全球資(zī)深産業分(fēn)析師組成的評審委員(yuán)會以及來自亞、美、歐洲的網站用戶群共同評選。
英諾賽科以其卓越的市場表現，再次被評爲2023年度全球最具潛力第三代半導體(tǐ)技術企業，全球電子成就獎于行業而言是一(yī)項崇高的榮譽，各類獎項獲得提名的企業、管理者及産品均爲行業領先者，充分(fēn)體(tǐ)現了其在業界的領先地位與不凡表現。
英諾賽科作爲一(yī)家緻力于第三代半導體(tǐ)矽基氮化镓研發與制造的IDM企業，擁有全球最大(dà)的8英寸矽基氮化镓生(shēng)産基地。通過大(dà)規模量産能力、8英寸先進的生(shēng)産工(gōng)藝，英諾賽科開(kāi)發出多品類、高性能的氮化镓産品，快速實現了氮化镓在市場上的廣泛應用。不止于消費(fèi)類領域，英諾賽科氮化镓芯片已經在光伏與儲能、自動駕駛等應用中(zhōng)實現大(dà)批量交付！
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