近日，據台媒報道，在半導體(tǐ)界傳出台積電擴大(dà)投資(zī)化合物(wù)半導體(tǐ)的傳聞。據稱，台積電購買氮化镓（GaN）相關設備達16台，比既有的六寸廠内的6台增加2倍多，這相當于産能将增達逾萬片左右，顯示客戶端下(xià)單需求擴大(dà)。

自去(qù)年開(kāi)始就陸續有消息傳出，台積電看好化合物(wù)半導體(tǐ)領域，将與國外(wài)大(dà)廠合作進軍此領域，尤其是氮化镓晶圓。

2020年2月，台積電發布新聞稿，宣布與國際功率半導體(tǐ)ＩＤＭ大(dà)廠意法半導體(tǐ)攜手合作開(kāi)發氮化镓制程技術。這項舉動象征着台積電未來的發展将借由GaN技術加速布局車(chē)用電子與電動車(chē)應用。

台積電目前是提供6英寸矽基氮化镓晶圓代工(gōng)服務，且在結盟意法半導體(tǐ)後，又(yòu)與納微半導體(tǐ)進行合作，先進功率氮化镓解決方案正陸續開(kāi)發。作爲一(yī)種寬禁帶半導體(tǐ)材料，氮化镓運轉速度比既有的矽（Si）元件快20倍，功率提高3倍，代表充電速度也快3倍，但尺寸與重量卻隻有原來的一(yī)半。

氮化镓是極其穩定的化合物(wù)，堅硬，高熔點，熔點爲1700℃。具有高的電離(lí)度，出色的擊穿能力、更高的電子密度和電子速度以及更高的工(gōng)作溫度，且具有低導通損耗、高電流密度等優勢。

通常用于微波射頻(pín)、電力電子、光電子三大(dà)領域。微波射頻(pín)包含了5G通信、雷達預警、衛星通訊等應用；電力電子方向包括了智能電網、高速軌道交通、新能源汽車(chē)、消費(fèi)電子等應用；光電子方向包括了LED、激光器、光電探測器等應用。

進入5G時代後，科技發展逐漸走向高頻(pín)，矽與砷化镓開(kāi)始無法負荷通訊設備高漲的頻(pín)率，而這也正好符合氮化镓高工(gōng)作頻(pín)率的特性，氮化镓産業迅速起飛。

GaN射頻(pín)市場将從2018年的6.45億美元增長到2024年的約20億美元，這主要受電信基礎設施和國防兩個方向應用推動，衛星通信、有線寬帶和射頻(pín)功率也做出了一(yī)定貢獻。

随着新的基于GaN的有源電子掃描陣列（AESA）雷達系統的實施，基于GaN的軍用雷達預計将主導GaN軍事市場，從2018年的2.7億美元增長至2024年的9.77億美元，CAGR達23.91％。

GaN射頻(pín)功率市場規模從2018年的200萬美元增長至2024年的10,460萬美元，CAGR達93.38%，具有很大(dà)成長空間。

總的來說，化合物(wù)半導體(tǐ)市場正在擴大(dà)，将會是趨勢。據台灣工(gōng)研院報告，2025年就将成長到1780億美元，而相對來講投入的廠商(shāng)仍少，但有的廠商(shāng)已取得不錯的成果。