韓國貿易，工(gōng)業和能源部（MOTIE）宣布計劃增加對國内SiC和GaN業務的投資(zī)支持。此外(wài)，SK集團最近加強了對化合物(wù)半導體(tǐ)的投資(zī)。預計随着公司和政府投資(zī)的結合，SiC和GaN市場将加速增長。

碳化矽（SiC）和氮化镓（GaN）半導體(tǐ)市場将看到加速增長的趨勢。2月1日，MOTIE宣布，它将加大(dà)對研發和基礎設施擴展的支持，以從2021年起搶占全球SiC和GaN市場。

同時，國内公司也開(kāi)始進行一(yī)系列相關投資(zī)。1月28日，SK集團向YEST的子公司Yes Power Technix投資(zī)了268億。Yes Power Technix成立于2017年，研究和開(kāi)發SiC器件，其100mm和150mm生(shēng)産線的SiC晶圓年生(shēng)産能力爲14,000片/年。此外(wài)，SK Group的SK Siltron最近收購了杜邦的SiC晶圓業務。

由于帶隙大(dà)于傳統Si半導體(tǐ)的3倍，因此SiC和GaN半導體(tǐ)每單位面積可承受的電壓是傳統半導體(tǐ)的10倍。作爲參考，GaN和SiC的帶隙分(fēn)别爲3.4 eV和3.2 eV，遠高于當前使用的Si的1.1 eV。

SiC / GaN技術的進步允許使用更小(xiǎo)，更節能的芯片和更高的電流速率。展望未來，SiC的采用有望在DC-DC轉換和車(chē)載充電，工(gōng)業應用中(zhōng)的功率因數校正以及太陽能逆變器中(zhōng)加速應用。在與SiC有關的行業中(zhōng)，重點企業包括韓國的RFHIC，Metal Life，Silicon Works和YEST，以及海外(wài)的Cree，Veeco，意法半導體(tǐ)和Rohm。

GaN和SiC時代即将到來

預計到2029年，化合物(wù)功率半導體(tǐ)市場将增長五倍以上。對于5G設備，電動汽車(chē)和工(gōng)業設施（包括太陽能設施）中(zhōng)的SiC和GaN等化合物(wù)半導體(tǐ)的使用需求正在急劇增加。

從2021年開(kāi)始，化合物(wù)功率半導體(tǐ)市場将迅速增長。包括SiC（4H-SIC）和GaN在内的下(xià)一(yī)代化合物(wù)功率半導體(tǐ)市場的增長現在已經開(kāi)始。市場研究公司Yole預測，到2024年，SiC功率半導體(tǐ)市場将以29％的複合年增長率增長，達到20億美元。相關的受益方應該包括美國的Cree，意法半導體(tǐ)和Veeco，以及韓國的RFHIC。

晶圓生(shēng)産技術對于GaN和SiC半導體(tǐ)的生(shēng)産至關重要。化合物(wù)半導體(tǐ)已開(kāi)始用于5G設備，工(gōng)業設施，電動汽車(chē)和太陽能等行業。近來，GaN晶體(tǐ)管已被大(dà)量用于智能電話(huà)和筆記本電腦的充電适配器。此外(wài)，現代汽車(chē)集團在其最近宣布的E-GMP中(zhōng)采用了SiC半導體(tǐ)。

在化合物(wù)半導體(tǐ)的生(shēng)産中(zhōng)，晶圓生(shēng)産技術很重要。通過使用有機金屬CVD（MOCVD）設備在襯底上生(shēng)長GaN外(wài)延層來制造GaN半導體(tǐ)。SiC外(wài)延片是通過在多層晶圓上沉積幾微米厚的SiC單晶層而制成的。SiC晶圓由Cree，Infineon和Rohm等許多公司生(shēng)産。在韓國，收購了杜邦（Dupont）SiC晶圓部門的SKSiltron正在對該行業進行投資(zī)。SiC晶圓現在供不應求。

Cree計劃到2024年将SiC産能提高30倍，并爲其GaN業務投資(zī)10億美元。ST Micro的SiC芯片組相關銷售額在2019年達到2億美元，目标是到2025年達到10億美元。